簡要說明了電子設備,電路,二極管,晶體管和交界處
* Semiconductor Device ,電子電路由既不是好的導體也不是好的絕緣子組成的材料。
* Semiconductor Device S不過是利用半導體材料的電子特性的電子組件,例如矽,鍺和Arsenide以及有機半導體。
關鍵術語
o半導體
o二極管
o晶體管
o雙極連接晶體管
o基礎
o收藏家
o發射器
o集成電路
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應用程序中涵蓋的一些主題是:
1。Haynes-Shockley實驗
2。半導體材料
3。晶格
4。立方格
5。飛機和指示
6。鑽石格子
7。散裝晶體生長
8。單晶錠的生長
9。晶圓
10。外延生長
11。蒸氣相外觀
12。分子束外延
13。半導體中的電荷載體
14。有效質量
15。內在材料
16。外部材料
17。量子井中的電子和孔
18。費米級
19。補償和空間費用中立
20。漂移和阻力
21。光吸收
22。光致發光
23。電致發光
24。載體壽命和光電導率
25。電子和孔的直接重組
26。間接重組;陷阱
27。穩態載體生成;準Fermi級別
28。光電傳動設備
29。擴散過程
30。載體的擴散和漂移:內置字段
31。擴散和重組;連續性方程
32。穩態載體注入:擴散長度
33。準富爾米水平的梯度
34。載體濃度的溫度依賴性
35。溫度和摻雜對遷移率的影響
36。高場效應
37。大廳效應
38。PN連接的製造:熱氧化
39。PN連接的擴散
40。快速熱處理
41。離子植入
42。化學蒸氣沉積(CVD)
43。光刻
44。蝕刻
45。金屬化
46。平衡條件
47。平衡費米水平
48。在路口的空間充電
49。前向和反向偏見的連接
50。載體注入
51。反向偏置
52。反向偏差
53。澤納分解
54。雪崩故障
55。整流器
56。故障二極管
57。瞬態和交流條件
58。反向恢復瞬態
59。理想的二極管模型
60。接觸電勢對載體注入的影響
61。切換二極管
62。PN連接的電容
63。過渡區域的重組和產生
64。歐姆損失
65。分級連接
66。金屬半導體連接:Schottky壁壘
67。當前的運輸過程
68。熱發射理論
69。擴散理論
70。熱發射擴散理論
71。糾正聯繫人
72。隧道電流
73。少數族裔注入
74。米斯隧道二極管
75。屏障高度的測量
76。激活能量測量
77。光電測量
78。歐姆聯繫人
每個主題都配有圖形表示圖,方程式和其他形式的圖形表示,以更好地學習和快速理解。
半導體設備是各大學工程教育課程和技術學位課程的一部分。
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