简要说明了电子设备,电路,二极管,晶体管和交界处
* Semiconductor Device ,电子电路由既不是好的导体也不是好的绝缘子组成的材料。
* Semiconductor Device S不过是利用半导体材料的电子特性的电子组件,例如硅,锗和Arsenide以及有机半导体。
关键术语
o半导体
o二极管
o晶体管
o双极连接晶体管
o基础
o收藏家
o发射器
o集成电路
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应用程序中涵盖的一些主题是:
1。Haynes-Shockley实验
2。半导体材料
3。晶格
4。立方格
5。飞机和指示
6。钻石格子
7。散装晶体生长
8。单晶锭的生长
9。晶圆
10。外延生长
11。蒸气相外观
12。分子束外延
13。半导体中的电荷载体
14。有效质量
15。内在材料
16。外部材料
17。量子井中的电子和孔
18。费米级
19。补偿和空间费用中立
20。漂移和阻力
21。光吸收
22。光致发光
23。电致发光
24。载体寿命和光电导率
25。电子和孔的直接重组
26。间接重组;陷阱
27。稳态载体生成;准Fermi级别
28。光电传动设备
29。扩散过程
30。载体的扩散和漂移:内置字段
31。扩散和重组;连续性方程
32。稳态载体注入:扩散长度
33。准富尔米水平的梯度
34。载体浓度的温度依赖性
35。温度和掺杂对迁移率的影响
36。高场效应
37。大厅效应
38。PN连接的制造:热氧化
39。PN连接的扩散
40。快速热处理
41。离子植入
42。化学蒸气沉积(CVD)
43。光刻
44。蚀刻
45。金属化
46。平衡条件
47。平衡费米水平
48。在路口的空间充电
49。前向和反向偏见的连接
50。载体注入
51。反向偏置
52。反向偏差
53。泽纳分解
54。雪崩故障
55。整流器
56。故障二极管
57。瞬态和交流条件
58。反向恢复瞬态
59。理想的二极管模型
60。接触电势对载体注入的影响
61。切换二极管
62。PN连接的电容
63。过渡区域的重组和产生
64。欧姆损失
65。分级连接
66。金属半导体连接:Schottky壁垒
67。当前的运输过程
68。热发射理论
69。扩散理论
70。热发射扩散理论
71。纠正联系人
72。隧道电流
73。少数族裔注入
74。米斯隧道二极管
75。屏障高度的测量
76。激活能量测量
77。光电测量
78。欧姆联系人
每个主题都配有图形表示图,方程式和其他形式的图形表示,以更好地学习和快速理解。
半导体设备是各大学工程教育课程和技术学位课程的一部分。
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